Промышленная оперативная память

Модуль оперативной памяти 32Гб DDR4 ECC SO-DIMM 3200MT/s, 2Gx8, чип Micron, двухранговая, dual side, -40...+85C

Модуль оперативной памяти 32Гб DDR4 ECC SO-DIMM 3200MT/s, 2Gx8, чип Micron, двухранговая, dual side, 0...+85C

Модуль оперативной памяти 32Гб DDR4 ECC SO-DIMM 3200MT/s, 2Gx8, чип Micron, двухранговая, dual side, -40...+85C

Модуль оперативной памяти 32Гб DDR4 ECC SO-DIMM 3200MT/s, 2Gx8, чип Micron, двухранговая, dual side, -40...+85C

Модуль оперативной памяти 32Гб DDR4 ECC SO-DIMM 3200MT/s, 2Gx8, чип Sam, двухранговая, dual side, 0...+85C

Модуль оперативной памяти 32Гб DDR4 ECC SO-DIMM 3200MT/s, 2Gx8, чип Sam, двухранговая, dual side, -40...+85C

Модуль оперативной памяти 32Гб DDR4 ECC SO-DIMM 3200MT/s, 2Gx8, чип Sam, двухранговая, dual side, -40...+85C

Модуль оперативной памяти 8Гб Innodisk DDR3L SODIMM 1333МГц Non-ECC 512Mx8, 1.5В/1.35В, чип Micron, температурный диапазон 0...+85

Модуль оперативной памяти 32Гб DDR4 SO-DIMM 3200МГц, 2Gx8, чип Micron, без поддержки ECC, двухранговая, dual side, -40...+85C

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 SO-DIMM 3200МГц, 1Gx8, чип Micron, одноранговая, dual side, 0...+95C

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 SO-DIMM 3200МГц, 1Gx16, чип Sam, одноранговая, single side, 0...+70C

Модуль оперативной памяти 16Гб DDR4 SO-DIMM 3200МГц, 1Gx8, чип Sam, двухранговая, dual side, 0...+70C

Модуль оперативной памяти 16Гб DDR4 SO-DIMM 3200МГц, 2Gx8, чип Sam, одноранговая, dual side, 0...+70C

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 SO-DIMM 3200МГц, 1Gx8, чип Sam, одноранговая, dual side, -40...+85C

Модуль оперативной памяти 4Гб DDR3 ECC U-DIMM 1600MT/s, 256Mx8, чип Micron, двухранговая, dual side, 0...+85C

Модуль оперативной памяти 2Гб DDR3L SO-DIMM 1333МГц, 256Mx16, чип Micron, одноранговая, single side, -40...+85C

Модуль памяти 1Гб DDR3 SODIMM, 1333МГц, Non-ECC, 1R, 128Mx8, чип MC-G, температурный диапазон -40..+85C

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR3L SODIMM 1600ГГц, 1.35В, без ECC, 512x8, чип Samsung

Модуль памяти 2Гб Innodisk DDR3 SO-DIMM 1333Мгц 256Mx8, 1.5В, IC Micron, рабочая температура -40..+85C

Модуль оперативной памяти 4Гб DDR3 SO-DIMM 1333МГц, 256Mx8, чип Micron, без ECC, -40..+85C

Модуль оперативной памяти 4Гб DDR3L SODIMM, 1.35В, 1600МГц, Non-ECC, 1R, 512Mx8, чип MC-E, температурный диапазон -40..+85C

Модуль памяти 8Гб DDR3 SODIMM, 1.5В, 1600МГц, Non-ECC, 512Mx8, чип PM-B, температурный диапазон -40..+85C

Модуль оперативной памяти 2Гб DDR3L SODIMM 1600МГц Non-ECC 512Mx8, чип Micron, -40..+85C

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 U-DIMM 2400МГц, 512Mx8, чип Sam, 0...+70C