Периферия и комплектующие

Промышленная оперативная память

M5DZ-FGHZP50Q-M

M5DZ-FGHZP50Q-M

Артикул: 12096600

Модуль оперативной памяти 24Гб DDR5 ECC SODIMM, 5600MT/s, 3Gx8, чип Hynix, одноранговая, Single Side, -40...+95C

Оперативная память

Тип памяти DRAM

DDR5

Объем модуля

24 ГБ

Тактовая частота

5600 МГц

Количество контактов

260

Поддержка ECC

Да

Регистровая

Нет

Низкопрофильная

Нет

Напряжение питания

1.1V

Форм-фактор

SO-DIMM

Эксплуатационные характеристики

Температура эксплуатации

-40..95 °C

Вес и габариты упаковки

Вес без упаковки

0.02 кг

Вес в упаковке

0.02 кг

Задать вопрос

Артикул: 12096600

M5DZ-FGHZP50Q-M

Рекомендуемые товары

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR3L U-DIMM 1600МГц, 512Mx8, чип Sam, двухранговая, dual side, 0...+85C

RAM 8Gb DDR3L DIMM 1600MHz

RAM 8Gb DDR3L DIMM 1600MHz

Промышленный модуль оперативной памяти 8Гб DDR3L U-DIMM 1600МГц, 512Mx8, чип Sam, двухранговая, dual side, 0...+85C

RAM 16GB DDR5 DIMM

RAM 16GB DDR5 DIMM

Модуль оперативной памяти 16Гб DDR5 U-DIMM 5600МГц, 2Gx8, чип Sam, одноранговая, single side, 0...+85C

RAM 8GB DDR5 DIMM

RAM 8GB DDR5 DIMM

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 U-DIMM 5600МГц, 1Gx16, чип Sam, одноранговая, single side, 0...+85C

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 UDIMM, 5600MT/s, 1Gx16, чип Sam, одноранговая, Single side, без ECC, 0...+85C

M3S0-4GWSC5PC

Модуль оперативной памяти 4Гб DDR3 SODIMM, 1600MT/s, 512Mx8, чип Winbond, одноранговая, Dual side, без ECC, -40...+85C

M4S0-BGS2O5EM

Модуль оперативной памяти 32Гб DDR4 SO-DIMM 3200МГц, 2Gx8, чип Sam, без поддержки ECC, двухранговая, dual side, -40...+85C

Модуль оперативной памяти 16Гб DDR5 RDIMM 4800МГц, 2Gx8, чип Sam, одноранговая, dual side, 0...+95C

M4C0-AGS1MCEM-T85I

M4C0-AGS1MCEM-T85I

Модуль оперативной памяти 16Гб DDR4 U-DIMM 3200МГц, 1Gx8, чип Sam, двухранговая, dual side, ECC, 0...+85C

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 U-DIMM 3200МГц, 1Gx8, чип Sam, одноранговая, single side, 0...+85C

Модуль оперативной памяти 16Гб DDR4 U-DIMM 3200МГц, 1Gx8, чип Sam, двухранговая, dual side, 0...+85C

M4DE-8GN1IC0M-H

M4DE-8GN1IC0M-H

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 ECC SODIMM VLP, 3200MT/s, 1Gx8, чип Nanya, одноранговая, dual side, 0...+95C

M4C0-4GWSS5EM

Модуль оперативной памяти 4Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 3200MT/s, 512Mx8, чип Winbond, одноранговая, single side, -40...+95C

M4C0-8GWSTCUN

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, чип Winbond, двухранговая, dual side, 0...+95C

M4CE-4GWSS50M-R

M4CE-4GWSS50M-R

Модуль оперативной памяти 4Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 3200MT/s, 512Mx8, чип Winbond, одноранговая, single side, -40...+95C

M4C0-8GWST5UN

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, чип Winbond, двухранговая, dual side, -40...+95C

M5UZ-8GNY18VP-A

M5UZ-8GNY18VP-A

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 UDIMM, 4800MT/s, 1Gx16, чип Nanya, одноранговая, single side, -40...+95C

M5SZ-8GNYZ8VP-A

M5SZ-8GNYZ8VP-A

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 SODIMM, 4800MT/s, 1Gx16, чип Nanya, одноранговая, single side, -40...+95C